Справочник IGBT. IKZ50N65ES5

 

IKZ50N65ES5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKZ50N65ES5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 274
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.35
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 22
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 88
   Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для IKZ50N65ES5

 

 

IKZ50N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1842K  infineon
 ikz50n65es5.pdf

IKZ50N65ES5 IKZ50N65ES5

IKZ50N65ES5TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBTTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal currentCEsat Plug and play replacement of previous generatio

 5.1. Size:2181K  infineon
 ikz50n65eh5.pdf

IKZ50N65ES5 IKZ50N65ES5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKZ50N65EH5650V DuoPack IGBT and diodeHigh speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKZ50N65EH5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeFeatures and Bene

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top