IKZ50N65ES5 - аналоги и описание IGBT

 

IKZ50N65ES5 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IKZ50N65ES5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 274 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для IKZ50N65ES5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IKZ50N65ES5

 ..1. Size:1842K  infineon
 ikz50n65es5.pdf pdf_icon

IKZ50N65ES5

IKZ50N65ES5 TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Benefits High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal current CEsat Plug and play replacement of previous generatio

 5.1. Size:2181K  infineon
 ikz50n65eh5.pdf pdf_icon

IKZ50N65ES5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKZ50N65EH5 650V DuoPack IGBT and diode High speed series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKZ50N65EH5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Bene

Другие IGBT... IKW75N65EH5 , IKW75N65ES5 , IKY40N120CH3 , IKY40N120CS6 , IKY50N120CH3 , IKY75N120CH3 , IKY75N120CS6 , IKZ50N65EH5 , IHW20N120R3 , IKZ75N65EH5 , IKZ75N65ES5 , IRG4BC20KDPBF , IRG4BC20UDPBF , IRG4IBC10UDPBF , IRG4PC30FPBF , IRG4PC30UDPBF , IRG4PC40FDPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.