IKZ50N65ES5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKZ50N65ES5  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 274 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF

Тип корпуса: TO247-4

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKZ50N65ES5

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKZ50N65ES5 даташит

 ..1. Size:1842K  infineon
 ikz50n65es5.pdf pdf_icon

IKZ50N65ES5

IKZ50N65ES5 TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Benefits High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal current CEsat Plug and play replacement of previous generatio

 5.1. Size:2181K  infineon
 ikz50n65eh5.pdf pdf_icon

IKZ50N65ES5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKZ50N65EH5 650V DuoPack IGBT and diode High speed series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKZ50N65EH5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Bene

Другие IGBT... IKW75N65EH5, IKW75N65ES5, IKY40N120CH3, IKY40N120CS6, IKY50N120CH3, IKY75N120CH3, IKY75N120CS6, IKZ50N65EH5, CRG60T60AK3HD, IKZ75N65EH5, IKZ75N65ES5, IRG4BC20KDPBF, IRG4BC20UDPBF, IRG4IBC10UDPBF, IRG4PC30FPBF, IRG4PC30UDPBF, IRG4PC40FDPBF