Справочник IGBT. IKZ50N65ES5

 

IKZ50N65ES5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKZ50N65ES5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K50EES5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 274 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для IKZ50N65ES5

 

 

IKZ50N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1842K  infineon
 ikz50n65es5.pdf

IKZ50N65ES5 IKZ50N65ES5

IKZ50N65ES5TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBTTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal currentCEsat Plug and play replacement of previous generatio

 5.1. Size:2181K  infineon
 ikz50n65eh5.pdf

IKZ50N65ES5 IKZ50N65ES5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKZ50N65EH5650V DuoPack IGBT and diodeHigh speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKZ50N65EH5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeFeatures and Bene

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top