IRG4BC20UDPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4BC20UDPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 60
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 13
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 15
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 39
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 27
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRG4BC20UDPBF
IRG4BC20UDPBF Datasheet (PDF)
irg4bc20udpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 94909AIRG4BC20UDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST UltraFast CoPack IGBTSOFT RECOVERY DIODEFeaturesC UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCES = 600V kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.85V parameter distribution and higher efficiency thanG Generati
irg4bc20ud.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD-91449CIRG4BC20UD UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures UltraFast: Optimized for high operating frequenciesVCES = 600V 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant modeVCE(on) typ. = 1.85V Generation 4 IGBT design provides tighter para-G meter distribution and higher efficiency than Generation 3
irg4bc20ud-s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD- 94077IRG4BC20UD-S UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures UltraFast: Optimized for high operating frequenciesVCES = 600V 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant modeVCE(on) typ. = 1.85V Generation 4 IGBT design provides tighter para-G meter distribution
irg4bc20u.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
D DI I TI T D T I T I T FeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC UltraFast: optimized for high operatingVCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.85VG parameter distribution and higher efficiency than Generatio
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![IRG4BC20UDPBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRG4BC20UDPBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRG4BC20UDPBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ