Справочник IGBT. IRGP4069DPBF

 

IRGP4069DPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP4069DPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 76 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 197 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4069DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  international rectifier
 irgp4069dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97425IRGP4069DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4069D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 5.1. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d-e.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97425IRGP4069DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4069D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 5.2. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97425IRGP4069DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4069D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 6.1. Size:268K  international rectifier
 irgp4069.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97426IRGP4069PbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGP4069-EPbFFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA GtSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILME Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: RGT60TS65D | IXGR40N60CD1 | NCE40TD120BT | IGZ50N65H5 | IXGP30N60C3D4 | MMG150CE065PD6TC | IRG4MC40U

 

 
Back to Top

 


 
.