IRGP4069DPBF - аналоги и описание IGBT

 

IRGP4069DPBF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGP4069DPBF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 76 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 197 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP4069DPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4069DPBF даташит

 ..1. Size:295K  international rectifier
 irgp4069dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 5.1. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d-e.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 5.2. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 6.1. Size:268K  international rectifier
 irgp4069.pdf pdf_icon

IRGP4069DPBF

PD - 97426 IRGP4069PbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRGP4069-EPbF Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM E Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGB4062DPBF , IRGP4062D-EPBF , IRGP4063DPBF , IRGP4063PBF , IRGP4066DPBF , IRGP4066D-EPBF , IRGP4068DPBF , IRGP4068D-EPBF , NGTB75N65FL2 , IRGP4650DPBF , IRGP4660DPBF , IRGP50B60PD1PBF , IRGP6690DPBF , IRGP6690D-EPBF , IRGPS46160DPBF , IRGS4640DPBF , IRGSL4640DPBF .

History: NCE25TD120WT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.