IRGP4069DPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGP4069DPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 268
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 76
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 33
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 197
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 69
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP4069DPBF
IRGP4069DPBF Datasheet (PDF)
irgp4069dpbf.pdf
PD - 97425IRGP4069DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4069D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv
irgp4069d-e.pdf
PD - 97425IRGP4069DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4069D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv
irgp4069d.pdf
PD - 97425IRGP4069DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGP4069D-EPbFULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv
irgp4069.pdf
PD - 97426IRGP4069PbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGP4069-EPbFFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA GtSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILME Positive VCE (ON) Temperature Coefficient
irgp4069-e.pdf
PD - 97426IRGP4069PbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGP4069-EPbFFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA GtSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of The Parts Tested for ILME Positive VCE (ON) Temperature Coefficient
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ