DGW50N65CTL1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: DGW50N65CTL1 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DGW50N65CTL1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
DGW50N65CTL1 даташит
dgw50n65ctl1.pdf
RoHS COMPLIANT DGW50N65CTL1 IGBT Discrete V 650 V CE I 50 A C V CE(SAT) 1.60 V I = A C 50 Applications High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Circuit Welding converters Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Posi
dgw50n65cth.pdf
RoHS DGW50N65CTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CE I 50 A C V I = A 1.95 V CE(SAT) C 50 Applications High frequency switching application Medical applications Circuit Uninterruptible power supply Motion/servo control Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ru
dgw50n65bth.pdf
RoHS DGW50N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CE I 50 A C V I = A 1.95 V CE(SAT) C 50 Applications High frequency switching application Medical applications Circuit Uninterruptible power supply Motion/servo control Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ru
Другие IGBT... DGW40N120CTH, DGW40N120CTH0, DGW40N120CTL, DGW40N65BTH, DGW40N65CTH, DGW40N65CTL, DGW50N65BTH, DGW50N65CTH, FGH60N60SMD, DGW60N65BTH, DGW75N65CTL1, ATGH40N120F2DR, TGAF40N60F2D, TGAN15N120FDR, TGAN15S135FD, TGAN20N135F3D, TGAN20N150FD
History: NGTB25N120FL3WG | AOTF5B65M2 | APTGF125X60TE3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent



