DGW50N65CTL1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DGW50N65CTL1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.85 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 450 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
DGW50N65CTL1 Datasheet (PDF)
dgw50n65ctl1.pdf

RoHS COMPLIANT DGW50N65CTL1 IGBT Discrete V 650 V CEI 50 A CVCE(SAT) 1.60 V I = AC 50 Applications High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Circuit Welding converters Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Posi
dgw50n65cth.pdf

RoHS DGW50N65CTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 50 A CV I = A 1.95 V CE(SAT) C 50 Applications High frequency switching application Medical applications Circuit Uninterruptible power supply Motion/servo control Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ru
dgw50n65bth.pdf

RoHS DGW50N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 50 A CV I = A 1.95 V CE(SAT) C 50 Applications High frequency switching application Medical applications Circuit Uninterruptible power supply Motion/servo control Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ru
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IGC18T120T8Q
History: IGC18T120T8Q



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent