DGW50N65CTL1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DGW50N65CTL1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 326
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 85
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.85
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 56
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 450
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для DGW50N65CTL1
DGW50N65CTL1 Datasheet (PDF)
dgw50n65ctl1.pdf
RoHS COMPLIANT DGW50N65CTL1 IGBT Discrete V 650 V CEI 50 A CVCE(SAT) 1.60 V I = AC 50 Applications High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Circuit Welding converters Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Posi
dgw50n65cth.pdf
RoHS DGW50N65CTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 50 A CV I = A 1.95 V CE(SAT) C 50 Applications High frequency switching application Medical applications Circuit Uninterruptible power supply Motion/servo control Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ru
dgw50n65bth.pdf
RoHS DGW50N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 50 A CV I = A 1.95 V CE(SAT) C 50 Applications High frequency switching application Medical applications Circuit Uninterruptible power supply Motion/servo control Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ru
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , TGAN20N135FD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
