TGAN40N65F2DR - аналоги и описание IGBT

 

TGAN40N65F2DR - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TGAN40N65F2DR

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 114 pF

Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для TGAN40N65F2DR

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGAN40N65F2DR даташит

 ..1. Size:890K  trinnotech
tgan40n65f2dr.pdfpdf_icon

TGAN40N65F2DR

TGAN40N65F2DR Field Stop Trench IGBT Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant JEDEC Qualification E C G Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN40N

 2.1. Size:957K  trinnotech
tgan40n65f2ds.pdfpdf_icon

TGAN40N65F2DR

TGAN40N65F2DS Field Stop Trench IGBT Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating Temperature E C G Applications UPS, Inverter, Solar, Welder Device Package Marking Remark TGAN40N65F2DS TO-3PN

 6.1. Size:1095K  trinnotech
tgan40n60fd.pdfpdf_icon

TGAN40N65F2DR

TGAN40N60FD Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification E C G Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN40N60FD TO-3PN TGAN40N60FD RoHS Absolute Maximum Ratings

 6.2. Size:882K  trinnotech
tgan40n60f2d.pdfpdf_icon

TGAN40N65F2DR

TGAN40N60F2D Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification E Applications C G UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN40N60F2D TO-3PN TGAN40N60F2D RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Va

Другие IGBT... TGAN30S160FD , TGAN40N110FD , TGAN40N120F2D , TGAN40N120F2DW , TGAN40N120FDR , TGAN40N135FD , TGAN40N60F2D , TGAN40N60F2DS , IKW75N60T , TGAN40N65F2DS , TGAN40N90FD , TGAN40S135FD , TGAN40S160FD , TGAN50N90FD , TGAN60N60F2DS , TGAN60N65F2DR , TGAN60N65F2DS .

History: SII150N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.