Справочник IGBT. TGAN80N65F2DS

 

TGAN80N65F2DS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGAN80N65F2DS
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 577
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 160
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 69
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 230
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 216
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для TGAN80N65F2DS

 

 

TGAN80N65F2DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  trinnotech
 tgan80n65f2ds.pdf

TGAN80N65F2DS TGAN80N65F2DS

TGAN80N65F2DSField Stop Trench IGBTFeatures 650V Field Stop Trench Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureECGApplicationsUPS, Inverter, Solar, WelderDevice Package Marking RemarkTGAN80N65F2DS TO-3PN TGAN8

 6.1. Size:969K  trinnotech
 tgan80n60f2ds.pdf

TGAN80N65F2DS TGAN80N65F2DS

TGAN80N60F2DSField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAN80N60F2DS TO-3PN TGAN80N60F2DS RoHSAbsolute Maxim

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top