Справочник IGBT. TGAN80N65F2DS

 

TGAN80N65F2DS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGAN80N65F2DS
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 69 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 216 nC
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TGAN80N65F2DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  trinnotech
 tgan80n65f2ds.pdf pdf_icon

TGAN80N65F2DS

TGAN80N65F2DSField Stop Trench IGBTFeatures 650V Field Stop Trench Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureECGApplicationsUPS, Inverter, Solar, WelderDevice Package Marking RemarkTGAN80N65F2DS TO-3PN TGAN8

 6.1. Size:969K  trinnotech
 tgan80n60f2ds.pdf pdf_icon

TGAN80N65F2DS

TGAN80N60F2DSField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAN80N60F2DS TO-3PN TGAN80N60F2DS RoHSAbsolute Maxim

Другие IGBT... TGAN40N90FD , TGAN40S135FD , TGAN40S160FD , TGAN50N90FD , TGAN60N60F2DS , TGAN60N65F2DR , TGAN60N65F2DS , TGAN80N60F2DS , SGT40N60FD2PN , TGH40N120F2DR , TGH40N135FD , TGH40N60F2D , TGH40N65F2DR , TGH40N65F2DS , TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 .

 

 
Back to Top

 


 
.