TGH60N65F2DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TGH60N65F2DS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TGH60N65F2DS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGH60N65F2DS даташит

 ..1. Size:823K  trinnotech
 tgh60n65f2ds.pdf pdf_icon

TGH60N65F2DS

TGH60N65F2DS Field Stop Trench IGBT Features TO-247 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating Temperature G C E Applications UPS, Inverter, Solar, Welder Device Package Marking Remark TGH60N65F2DS

 3.1. Size:998K  trinnotech
 tgh60n65f2dr.pdf pdf_icon

TGH60N65F2DS

TGH60N65F2DR Field Stop Trench IGBT TO-247 Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant JEDEC Qualification G C E Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TG

Другие IGBT... TGAN80N60F2DS, TGAN80N65F2DS, TGH40N120F2DR, TGH40N135FD, TGH40N60F2D, TGH40N65F2DR, TGH40N65F2DS, TGH60N65F2DR, CRG15T120BNR3S, HCKD5N65AM2, HCKD5N65BM2, HCKW25N120H2, HCKW40N120BH1, HCKW40N120CS2, HCKW40N120H1, MSG06T65FLD, MSG100D350FH