MSG25T120FQC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG25T120FQC
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 350
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 77
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 120
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG25T120FQC
MSG25T120FQC Datasheet (PDF)
msg25t120fqc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG25T120FQCFeatures Low gate charge FS Technology Saturation voltage:VCE(sat),typ= 1.75V @IC=25A and TC=25 RoHS productApplications General purpose inverters Induction heating(IH) UPSOrder Codes Marking PackageMSG25T120FQC MSG25T120FQC TO-247Absolute RatingsTc=25Parameter Symbol MSG25T120FQC UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 1200
msg25t120fpc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG25T120FPCN-Channel IGBTFeatures Low Gate charge FS Technology VCE(sat) = 1.68V @ IC = 25A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 1200CESVGate-emitter voltage V 30GEST =25C 50CCollector curre ICT
msg25t120fl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG25T120FLHigh speed Trench Fieldstop IGBTGeneral Description FeaturesThis IGBT is produced using advanced trench High Speed Switchingfieldstop IGBT technology, which provides low Positive Temperature coefficient for easyV , high switching performance and parallelingCE(sat)excellent quality. High ruggedness&good thermal stability Including fast free-wheeling diod
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![MSG25T120FQC](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MSG25T120FQC](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MSG25T120FQC](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ