Справочник IGBT. CRG25T135BKR3S

 

CRG25T135BKR3S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG25T135BKR3S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G25T135BKR3S
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 59 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 142 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG25T135BKR3S

 

 

CRG25T135BKR3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1157K  wuxi china
 crg25t135bkr3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T135BKR3S General Description VCES 1350 V Using CRM's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 25 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1350V Trench FS Ptot (TC=25) 208 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. TO-247 Features Trench

 7.1. Size:936K  crhj
 crg25t120bk3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

CRG25T120BK3S CRG25T120BK3S VCES 1200 V RoHS IC 25 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 2.0 V TO-247

 7.2. Size:1231K  wuxi china
 crg25t120bk3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T120BK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 25 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 278 W Ptot TC=25VCE(sat) 2.0 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio

 7.3. Size:784K  wuxi china
 crg25t120bnr3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T120BNR3S General Description VCES 1200 V Using CRM's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 25 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25) 208 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. TO-3PN Features T

Другие IGBT... CRG08T60A93L , CRG15T120BK3SD , CRG15T60A03L , CRG15T60A83L , CRG15T60A93L , CRG15T60A94S , CRG15T60A84S , CRG25T120BNR3S , TGPF30N40P , CRG30T60AK3HD , CRG40T60AK3H , CRG40T60AK3SD , CRG50T60AK3HD , CRG60T60AK3H , CRG60T60AK3SD , SRE100N065FSU , SRE100N065FSU2D6 .

 

 
Back to Top