Справочник IGBT. CRG25T135BKR3S

 

CRG25T135BKR3S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG25T135BKR3S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G25T135BKR3S
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 208
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 36
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 59
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 142
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG25T135BKR3S

 

 

CRG25T135BKR3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1157K  wuxi china
 crg25t135bkr3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T135BKR3S General Description VCES 1350 V Using CRM's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 25 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1350V Trench FS Ptot (TC=25) 208 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. TO-247 Features Trench

 7.1. Size:936K  crhj
 crg25t120bk3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

CRG25T120BK3S CRG25T120BK3S VCES 1200 V RoHS IC 25 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 2.0 V TO-247

 7.2. Size:1231K  wuxi china
 crg25t120bk3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T120BK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 25 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 278 W Ptot TC=25VCE(sat) 2.0 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio

 7.3. Size:784K  wuxi china
 crg25t120bnr3s.pdf

CRG25T135BKR3S CRG25T135BKR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T120BNR3S General Description VCES 1200 V Using CRM's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 25 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25) 208 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. TO-3PN Features T

Другие IGBT... CRG08T60A93L , CRG15T120BK3SD , CRG15T60A03L , CRG15T60A83L , CRG15T60A93L , CRG15T60A94S , CRG15T60A84S , CRG25T120BNR3S , RJP6065DPM , CRG30T60AK3HD , CRG40T60AK3H , CRG40T60AK3SD , CRG50T60AK3HD , CRG60T60AK3H , CRG60T60AK3SD , SRE100N065FSU , SRE100N065FSU2D6 .

 

 
Back to Top