Справочник IGBT. HCKZ75N65GH2

 

HCKZ75N65GH2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HCKZ75N65GH2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 122 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 244 pF
   Тип корпуса: TO247-4
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

HCKZ75N65GH2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1333K  cn vgsemi
 hckz75n65gh2.pdf pdf_icon

HCKZ75N65GH2

HCKZ75N65GH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65GH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a SiC diode,has the characteristics of low V , highcesatjunction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with high switchingfrequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technology Lo

 5.1. Size:1281K  cn vgsemi
 hckz75n65bh2.pdf pdf_icon

HCKZ75N65GH2

HCKZ75N65BH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65BH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

Другие IGBT... SRE75N065FSUD6 , SRE80N065FSU , SRE80N065FSU2 , SRE80N065FSU2DB , SRE80N065FSUD6 , SRE80N065FSUD8 , OST80N65HMF , HCKW75N65GH2 , FGH60N60SFD , CRG40T120BK3S , GT30G122 , IGW40T60 , IGW40T60K , IKW75N60TA , IGW40N60TP , IXSM35N100A , IXSM40N60 .

History: PDMB100E6 | OST15N65KRF | NGB8207N | RJH60D5DPM | SGB10N60A | SGL5N60RUFD | STGWA60NC60WDR

 

 
Back to Top

 


 
.