HCKZ75N65GH2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HCKZ75N65GH2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 122 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 244 pF

Тип корпуса: TO247-4

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HCKZ75N65GH2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKZ75N65GH2 даташит

 ..1. Size:1333K  cn vgsemi
 hckz75n65gh2.pdf pdf_icon

HCKZ75N65GH2

HCKZ75N65GH2 @ Trench-FS Cool-Watt IGBT HCKZ75N65GH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a SiC diode,has the characteristics of low V , high cesat junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with high switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technology Lo

 5.1. Size:1281K  cn vgsemi
 hckz75n65bh2.pdf pdf_icon

HCKZ75N65GH2

HCKZ75N65BH2 @ Trench-FS Cool-Watt IGBT HCKZ75N65BH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of low V , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with cesat high switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

Другие IGBT... SRE75N065FSUD6, SRE80N065FSU, SRE80N065FSU2, SRE80N065FSU2DB, SRE80N065FSUD6, SRE80N065FSUD8, OST80N65HMF, HCKW75N65GH2, RJP30E2DPP-M0, CRG40T120BK3S, GT30G122, IGW40T60, IGW40T60K, IKW75N60TA, IGW40N60TP, IXSM35N100A, IXSM40N60