Справочник IGBT. HIA30N65T-SA

 

HIA30N65T-SA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIA30N65T-SA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 188
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 15
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 67.5
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 59
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HIA30N65T-SA

 

 

HIA30N65T-SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  semihow
 hia30n65t-sa.pdf

HIA30N65T-SA HIA30N65T-SA

Sep 2023HIA30N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 0.698 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &

 7.1. Size:663K  semihow
 hia30n60bp.pdf

HIA30N65T-SA HIA30N65T-SA

Dec 2013VCES = 600 VIC = 30 AHIA30N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-247FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 GCE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-

 8.1. Size:412K  semihow
 hia30n140ih-da.pdf

HIA30N65T-SA HIA30N65T-SA

September 2022HIA30N140IH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltageEoff 1.41 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SY

 8.2. Size:490K  semihow
 hia30n140cih-da.pdf

HIA30N65T-SA HIA30N65T-SA

Aug. 2023HIA30N140CIH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.65 V 1400V Breakdown voltageEoff 1.63 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SYMBOL

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top