HIA30N65T-SA
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HIA30N65T-SA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 188
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
60
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
1.45
V @25℃
|VGEth|ⓘ -
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8
V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
175
℃
trⓘ -
Время нарастания типовое: 15
nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67.5
pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 59
nC
Тип корпуса:
TO247
Аналог (замена) для HIA30N65T-SA
HIA30N65T-SA
Datasheet (PDF)
..1. Size:529K semihow
hia30n65t-sa.pdf 
Sep 2023HIA30N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 0.698 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &
7.1. Size:663K semihow
hia30n60bp.pdf 
Dec 2013VCES = 600 VIC = 30 AHIA30N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-247FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 GCE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-
8.1. Size:412K semihow
hia30n140ih-da.pdf 
September 2022HIA30N140IH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltageEoff 1.41 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SY
8.2. Size:490K semihow
hia30n140cih-da.pdf 
Aug. 2023HIA30N140CIH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.65 V 1400V Breakdown voltageEoff 1.63 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SYMBOL
Другие IGBT... APT20GN60BG
, APT20GN60KG
, APT20GN60SG
, AOK20B60D1
, F3L30R06W1E3_B11
, WGW15G120N
, WGW15G120W
, IRG4MC50U
, JT075N065WED
, AOB10B60D
, AOK10B60D
, AOT10B60D
, NGB8207AB
, NGB8207B
, AOB15B60D
, IRGSL8B60K
, AOK15B60D
.
