HIA50N65H-SA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HIA50N65H-SA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 272
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 25
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 140
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 105
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HIA50N65H-SA
HIA50N65H-SA Datasheet (PDF)
hia50n65h-sa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Jun 2023HIA50N65H-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 1.60 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar
hia50n65h-ja.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Nov 2022HIA50N65H-JA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 2.10 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar
hia50n65ih-sa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Mar 2023HIA50N65IH-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.35 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 1.88 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Induc
hia50n65ih-ja.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Nov 2022HIA50N65IH-JA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.35 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 2.00 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Induc
hia50n65t-ja.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Nov 2022HIA50N65T-JA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 2.20 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &
hia50n65t-sa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Mar 2023HIA50N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 50 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 1.76 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &
Другие IGBT... HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , GT45F122 , HIA50N65IH-JA , HIA20N140IH-DA , GT30F122 , SG40T120DB , SG60T120UDB3 , SGT60U65FD1PN , SGT60U65FD1PT , OST120N65H4SMF .
![HIA50N65H-SA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HIA50N65H-SA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HIA50N65H-SA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ