Справочник IGBT. OST30N65KTXF

 

OST30N65KTXF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST30N65KTXF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 42 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 64 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для OST30N65KTXF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST30N65KTXF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:739K  oriental semi
 ost30n65ktxf.pdf pdf_icon

OST30N65KTXF

OST30N65KTXF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST30N65KTXF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 6.1. Size:568K  oriental semi
 ost30n65hmf.pdf pdf_icon

OST30N65KTXF

OST30N65HMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST30N65HMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

Другие IGBT... OST15N65FRF , OST15N65KRF , OST15N65PRF , OST160N65H5MF , OST20N135HRF , OST25N65FMF , OST25N65PMF , OST30N65HMF , STGW60V60DF , OST40N120HEMF , OST40N120HMF , OST40N65HEMF , OST40N65HMF , OST40N65HXF , OST40N65KMF , OST40N65PMF , OST50N65H4EWF .

History: APT50GP60SG

 

 
Back to Top

 


 
.