GT30J127 datasheet, аналоги, основные параметры

GT30J127 - это высокопроизводительный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. При номинальном напряжении 600В и токе 30А он сочетает в себе высокое входное сопротивление МОП-транзисторов с низкими потерями проводимости биполярных транзисторов. Этот IGBT-транзистор обеспечивает быструю коммутацию, высокую эффективность и надежные тепловые характеристики, что делает его подходящим для инверторов, электроприводов и источников питания. Его прочная конструкция обеспечивает надежность при высоком напряжении и токе, минимизируя потери при переключении и повышая общую эффективность системы.

Наименование: GT30J127  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT30J127

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30J127 даташит

 7.1. Size:321K  toshiba
 gt30j122.pdf pdf_icon

GT30J127

GT30J122 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J122 4TH GENERATION IGBT Unit mm CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS Enhancement mode type High speed tf = 0.25 s (Typ.) (IC = 50A) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.1V (Typ.) (IC = 50A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Coll

 7.2. Size:182K  toshiba
 gt30j121.pdf pdf_icon

GT30J127

GT30J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J121 High Power Switching Applications Unit mm Fast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS) Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss Eon = 1.00 mJ (typ.) Eoff = 0.80 mJ (typ

 7.3. Size:192K  toshiba
 gt30j122a.pdf pdf_icon

GT30J127

GT30J122A Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT30J122A GT30J122A GT30J122A GT30J122A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications Dedicated to Partial-Switching Power Factor Correction (PFC) Applications Note The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. F

 7.4. Size:187K  toshiba
 gt30j126.pdf pdf_icon

GT30J127

GT30J126 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J126 High Power Switching Applications Unit mm Fast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS) High speed tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss Eon = 1.00 mJ (typ.) Eoff = 0.80 mJ (typ.) Low saturation voltage VCE (sat) =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OST80N65HEVF, OST80N65HSMF, OST90N60HCZF, OST90N65HM2F, OSC80N65HF, OSC90N65HF, RJH3047, GT30F123, FGA25N120ANTD, OST50N65HEWF, OST50N65KEW2F, OST60N65H4EMF, OST60N65H4EWF, OST75N65HSWF, OST80N65H4EWF, OST80N65HEWF, SGT10T60SD1S