OST80N65H4EWF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: OST80N65H4EWF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 114 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 163 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 353 pF

Тип корпуса: TO247-4L

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для OST80N65H4EWF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST80N65H4EWF даташит

 ..1. Size:884K  oriental semi
 ost80n65h4ewf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

 3.1. Size:804K  oriental semi
 ost80n65h4emf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

OST80N65H4EMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65H4EMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

 5.1. Size:831K  oriental semi
 ost80n65hevf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

OST80N65HEVF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65HEVF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 5.2. Size:767K  oriental semi
 ost80n65hemf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

OST80N65HEMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65HEMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH3047, GT30F123, GT30J127, OST50N65HEWF, OST50N65KEW2F, OST60N65H4EMF, OST60N65H4EWF, OST75N65HSWF, RJP30E2DPP-M0, OST80N65HEWF, SGT10T60SD1S, SGT10T60SD1F, SGT10T60SDM1D, SGT10T60SDM1P7, SGT15T60SD1T, SGT15T60SD1F, SGT15T60SD1STR