Справочник IGBT. OST80N65H4EWF

 

OST80N65H4EWF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST80N65H4EWF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 114 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 163 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 353 pF
   Тип корпуса: TO247-4L
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

OST80N65H4EWF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  oriental semi
 ost80n65h4ewf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

 3.1. Size:804K  oriental semi
 ost80n65h4emf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

OST80N65H4EMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65H4EMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

 5.1. Size:831K  oriental semi
 ost80n65hevf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

OST80N65HEVF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65HEVF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 5.2. Size:767K  oriental semi
 ost80n65hemf.pdf pdf_icon

OST80N65H4EWF

OST80N65HEMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65HEMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: NGTG50N60FLWG | IRGC100B120KB | RJH6086BDPK | IRG7PH42UD | IRG4PSH71K | SGL20N60RUFD | GT10J321

 

 
Back to Top

 


 
.