SGT10T60SDM1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT10T60SDM1P7
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 35 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGT10T60SDM1P7
SGT10T60SDM1P7 Datasheet (PDF)
sgt10t60sdm1p7.pdf
SGT10T60SDM1P7 10A600V C2SGT10T60SDM1P7 1Field StopIIIG UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@I
sgt10t60sdm1d.pdf
SGT10T60SDM1D 10A600V C2SGT10T60SDM1D Field StopIII 1G UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=1
sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf
SGT10T60SD1S/F 10A600V C2SGT10T60SD1S/F 1Field StopIIIG UPSSMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=10A
sgt10u60sdm2d.pdf
SGT10U60SDM2D 10A600V C2SGT10U60SDM2D 4 PlusField Stop IV+ 1G UPS,SMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A
sgt100n45t sgp100n45t.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N45T Rev. 1.0 Dec. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGT100N45T/SGP100N45T 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 25A uniquely optimized to
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2