SGT10T60SDM1P7 - аналоги и описание IGBT

 

SGT10T60SDM1P7 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGT10T60SDM1P7

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 35 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT10T60SDM1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT10T60SDM1P7 даташит

 ..1. Size:315K  silan
 sgt10t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1P7

SGT10T60SDM1P7 10A 600V C 2 SGT10T60SDM1P7 1 Field StopIII G UPS SMPS 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@I

 2.1. Size:316K  silan
 sgt10t60sdm1d.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1P7

SGT10T60SDM1D 10A 600V C 2 SGT10T60SDM1D Field StopIII 1 G UPS SMPS 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@IC=1

 4.1. Size:328K  silan
 sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1P7

 9.1. Size:561K  silan
 sgt10u60sdm2d.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1P7

SGT10U60SDM2D 10A 600V C 2 SGT10U60SDM2D 4 Plus Field Stop IV+ 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OST60N65H4EMF , OST60N65H4EWF , OST75N65HSWF , OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , IKW75N60T , SGT15T60SD1T , SGT15T60SD1F , SGT15T60SD1STR , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT .

History: IRGP50B60PD1PBF | SGT15T60SD1T | MG100HF12MIC1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.