SGT20T135QR1PN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT20T135QR1PN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 20T135QR
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 250
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 50
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 55
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 125
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SGT20T135QR1PN

 

 

SGT20T135QR1PN Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , SGT15T60SD1T , SGT15T60SD1F , SGT15T60SD1STR , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , STGB10NB37LZ , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 , SGT20T60SD1FD , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , SGT30T60SDM1P7 .