Справочник IGBT. SGT20T135QR1PN

 

SGT20T135QR1PN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGT20T135QR1PN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 20T135QR
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 125 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SGT20T135QR1PN

 

 

SGT20T135QR1PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  silan
sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf

SGT20T135QR1PN
SGT20T135QR1PN

SGT20T135QR1P7(PN)(PT) 20A1350V C 2SGT20T135QR1P7/PN/PT 1Reverse ConductingG

 8.1. Size:412K  silan
sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf

SGT20T135QR1PN
SGT20T135QR1PN

SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A600V C 21SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)GField Stop III1 UPSSMPS PFC 323TO-3PE 13

 8.2. Size:519K  silan
sgt20t60sdm1p7.pdf

SGT20T135QR1PN
SGT20T135QR1PN

SGT20T60SDM1P7 20600V C2SGT20T60SDM1P7 Field Stop1G UPSSMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=1.7V@IC=20A

Другие IGBT... SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , SGT15T60SD1T , SGT15T60SD1F , SGT15T60SD1STR , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , IHW20N135R5 , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 , SGT20T60SD1FD , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , SGT30T60SDM1P7 .

 

 
Back to Top