SGT40N60FD2PT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT40N60FD2PT
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 40N60FD2
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 380
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 88
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 190
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 100
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для SGT40N60FD2PT

 

 

SGT40N60FD2PT Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT20T60SD1P7 , SGT20T60SD1FD , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , SGT30T60SDM1P7 , SGT30T60SD3PU , SGT40N60F2P7 , SGT40N60FD1P7 , GT45F122 , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , SGT70N65FDM1P7 .