SGTP5T60SD1DTR - Аналоги. Основные параметры
Наименование: SGTP5T60SD1DTR
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 26 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SGTP5T60SD1DTR
Технические параметры SGTP5T60SD1DTR
sgtp5t60sd1dtr sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s sgtp5t60sd1str.pdf
SGTP5T60SD1D(F)(S) 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=
sgtp5t60sd1d sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s.pdf
SGTP5T60SD1D/F/S 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=5
sgtp50t120fdb4pwa.pdf
SGTP50T120FDB4PWA 50A 1200V C 2 SGTP50T120FDB4PWA 1 G Field Stop IV UPS SMPS PFC 3 E 50A 1200V VCE(sat)( )=2.0V@IC=50A
Другие IGBT... SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , RJH60F5DPQ-A0 , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032












