Справочник IGBT. SGT10U60SDM2D

 

SGT10U60SDM2D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGT10U60SDM2D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 10U60SD2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 49 nC
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGT10U60SDM2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  silan
 sgt10u60sdm2d.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

SGT10U60SDM2D 10A600V C2SGT10U60SDM2D 4 PlusField Stop IV+ 1G UPS,SMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A

 9.1. Size:328K  silan
 sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

SGT10T60SD1S/F 10A600V C2SGT10T60SD1S/F 1Field StopIIIG UPSSMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=10A

 9.2. Size:315K  silan
 sgt10t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

SGT10T60SDM1P7 10A600V C2SGT10T60SDM1P7 1Field StopIIIG UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@I

 9.3. Size:316K  silan
 sgt10t60sdm1d.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

SGT10T60SDM1D 10A600V C2SGT10T60SDM1D Field StopIII 1G UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , GT60N321 , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 , SL20T65FZ , SL20T65FL .

History: FF1000R17IE4 | IXYH24N90C3D1 | AFGHL40T65SPD | MM50G3U120BMX | IXGC16N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.