SGT10U60SDM2D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT10U60SDM2D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SGT10U60SDM2D
SGT10U60SDM2D Datasheet (PDF)
sgt10u60sdm2d.pdf

SGT10U60SDM2D 10A600V C2SGT10U60SDM2D 4 PlusField Stop IV+ 1G UPS,SMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A
sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf

SGT10T60SD1S/F 10A600V C2SGT10T60SD1S/F 1Field StopIIIG UPSSMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=10A
sgt10t60sdm1p7.pdf

SGT10T60SDM1P7 10A600V C2SGT10T60SDM1P7 1Field StopIIIG UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@I
sgt10t60sdm1d.pdf

SGT10T60SDM1D 10A600V C2SGT10T60SDM1D Field StopIII 1G UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=1
Другие IGBT... SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , NGTB75N65FL2 , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 , SL20T65FZ , SL20T65FL .
History: CM1800DY-34S | 1MBH20D-060 | CM150RX-24S1 | CM100MXA-24S | CM100DU-12F | IGC18T120T8L | IXGH20N100A3
History: CM1800DY-34S | 1MBH20D-060 | CM150RX-24S1 | CM100MXA-24S | CM100DU-12F | IGC18T120T8L | IXGH20N100A3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor