SGT10U60SDM2D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGT10U60SDM2D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGT10U60SDM2D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT10U60SDM2D даташит

 ..1. Size:561K  silan
 sgt10u60sdm2d.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

SGT10U60SDM2D 10A 600V C 2 SGT10U60SDM2D 4 Plus Field Stop IV+ 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A

 9.1. Size:328K  silan
 sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

 9.2. Size:315K  silan
 sgt10t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

SGT10T60SDM1P7 10A 600V C 2 SGT10T60SDM1P7 1 Field StopIII G UPS SMPS 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@I

 9.3. Size:316K  silan
 sgt10t60sdm1d.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D

SGT10T60SDM1D 10A 600V C 2 SGT10T60SDM1D Field StopIII 1 G UPS SMPS 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@IC=1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP75V65SDB1P7, SGTP75V65SDS1P7, SGTQ160V65SDB1APW, SGTQ160V65SDB1APWA, SGTQ200V75SDB1PWA, SGTQ200V75SDB1PWD, SGTQ30NE40I1DTR, SGTQ40T120SDB2P7, IRG4PC40W, BGF15T65SD, SL15T65FF, SL15T65F, SL15T65FK, SL20T65F, SL20T65, SL20T65FZ, SL20T65FL