JT030N065F7PD1E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT030N065F7PD1E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для JT030N065F7PD1E
JT030N065F7PD1E Datasheet (PDF)
jt030n065f7pd1e.pdf
IGBT IGBT Modules RIGBT JT030N065F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A 650V V CESVcesat_typ1.75V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology
jt030n065wed jt030n065fed jt030n065sed.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT030N065WED/FED/SED MAIN CHARACTERISTICS Package 30 A IC 650V VCES 1.75V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench F
jt030n065f6md1e.pdf
IGBT IGBT Modules RIGBT JT030N065F6MD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A 650V V CESVcesat_typ1.75V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology
Другие IGBT... JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , FGPF4633 , JT030N065WED , JT030N065FED , JT030N065SED , JT040K065WED , JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2