NCE30TD65BT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: NCE30TD65BT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 132 nC
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для NCE30TD65BT
NCE30TD65BT Datasheet (PDF)
nce30td65bt.pdf

Pb Free ProductNCE30TD65BT650V, 30A, Trench FS II Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 650V Trench FS II IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching
nce30td65bd.pdf

Pb Free ProductNCE30TD65BD650V, 30A, Trench FS II Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 650V Trench FS II IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching
nce30td65bp.pdf

Pb Free ProductNCE30TD65BP650V, 30A, Trench FS II Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 650V Trench FS II IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching
nce30td60bp.pdf

Pb Free ProductNCE30TD60BP600V, 30A, Trench FS II Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775