NCE40TD65B - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: NCE40TD65B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 136 pF
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для NCE40TD65B
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
NCE40TD65B даташит
nce40td65b.pdf
Pb Free Product NCE40TD65B 650V, 40A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 650V Trench FS II IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE(sat) High speed switching
nce40td65bt.pdf
PbFreeProduct NCE40TD65BT 650V, 40A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 650V Trench FS II IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE sat High sp
Другие IGBT... NCE40T60BP , NCE40TD120LP , NCE40TD120LT , NCE40TD120UT , NCE40TD120WW , NCE40TD135LP , NCE40TD135LT , NCE40TD60BPF , FGH75T65UPD , NCE40TD65BP , NCE40TH60BPF , NCE40TH60BT , NCE50ED120VT , NCE50ED120VTP , NCE50ED65VT , NCE50EU65UT , NCE50TD120BP .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315