NCE75ED120VT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: NCE75ED120VT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 650
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 55
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 169
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 261
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для NCE75ED120VT
NCE75ED120VT Datasheet (PDF)
nce75ed120vt.pdf
NCE75ED120VT1200V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.65V(Typ.) @ IC =
nce75ed120vtp.pdf
NCE75ED120VTP1200V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.65V(Typ.) @ IC
nce75ed120vt4.pdf
NCE75ED120VT41200V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.65V(Typ.) @ IC
nce75ed120vtp4.pdf
NCE75ED120VTP41200V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.65V(Typ.) @ IC
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB