Справочник IGBT. TGPF20N60FDR

 

TGPF20N60FDR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGPF20N60FDR
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для TGPF20N60FDR

 

 

TGPF20N60FDR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  trinnotech
 tgpf20n60fdr.pdf

TGPF20N60FDR TGPF20N60FDR

TGPF20N60FDRField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5s 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationApplicationsMotor Drive, Air Conditioner, Inverter, SolarDevic

Другие IGBT... TGH80N65F2DR , TGH80N65F2DS , TGHP75N120F2D , TGHP75N120FDR , TGL75N120FDR , TGPF15N60FDR , TGPF20N60FDR , TGH80N65F2D2 , RJP30H2A , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 .

 

 
Back to Top