TGPF20N60FDR - аналоги и описание IGBT

 

TGPF20N60FDR - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: TGPF20N60FDR
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TGPF20N60FDR

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры TGPF20N60FDR

 ..1. Size:883K  trinnotech
 tgpf20n60fdr.pdf pdf_icon

TGPF20N60FDR

TGPF20N60FDR Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5 s 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC Qualification Applications Motor Drive, Air Conditioner, Inverter, Solar Devic

Другие IGBT... TGH80N65F2DR , TGH80N65F2DS , TGHP75N120F2D , TGHP75N120FDR , TGL75N120FDR , TGPF15N60FDR , TGPF20N60FDR , TGH80N65F2D2 , FGPF4536 , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 .

History: IXYH20N120C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.