Справочник IGBT. BLG15T65FUA-A

 

BLG15T65FUA-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG15T65FUA-A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 41 pF
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для BLG15T65FUA-A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG15T65FUA-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:979K  belling
 blg15t65fua-a blg15t65fua-b blg15t65fua-p.pdf pdf_icon

BLG15T65FUA-A

BLG15T65FUA IGBT 1Description Step-Down Converter BLG15T65FUA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . The IGBT is gsuitable device for BLDC, UPS, and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V

 4.1. Size:1007K  belling
 blg15t65ful-b blg15t65ful-p blg15t65ful-a.pdf pdf_icon

BLG15T65FUA-A

BLG15T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG15T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized swi hing CE(sat) tcperformance and low gate charge Q . The IGBT is gsuitable device for BLDC, UPS, and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 1

Другие IGBT... NCE75TD120BTP4 , NCE75TD120VT , NCE75TD120WT , NCE75TD120WT4 , NCE75TD120WW , NCE80TC65BT , NCE80TD65BT4 , BLG10T65FUL-D , GT30F124 , BLG15T65FUA-B , BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , BLG15T65FUL-A , BLG20T65FDLA-A , BLG20T65FDLA-P , BLG20T65FDLA-F .

 

 
Back to Top

 


 
.