Справочник IGBT. BLG20T65FDLA-P

 

BLG20T65FDLA-P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG20T65FDLA-P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BLG20T65FDLA-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  belling
 blg20t65fdla-a blg20t65fdla-p blg20t65fdla-f blg20t65fdla-b.pdf pdf_icon

BLG20T65FDLA-P

BLG20T65FDLA IGBT 1Description Step-Down Converter BLG20T65FDLA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat)KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI

 5.1. Size:974K  belling
 blg20t65fula-p blg20t65fula-a.pdf pdf_icon

BLG20T65FDLA-P

BLG20T65FULA IGBT 1Description Step-Down Converter BLG20T65FULA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat)KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI

Другие IGBT... BLG10T65FUL-D , BLG15T65FUA-A , BLG15T65FUA-B , BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , BLG15T65FUL-A , BLG20T65FDLA-A , MBQ60T65PES , BLG20T65FDLA-F , BLG20T65FDLA-B , BLG20T65FULA-P , BLG20T65FULA-A , BLG3040-D , BLG3040-B , BLG3040-P , BLG3040-I .

History: IXXN200N60B3H1 | IXGC16N60C2 | 2N6976 | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
Back to Top

 


 
.