BLG20T65FDLA-P - аналоги и описание IGBT

 

BLG20T65FDLA-P - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BLG20T65FDLA-P

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF

Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для BLG20T65FDLA-P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG20T65FDLA-P даташит

 ..1. Size:1175K  belling
 blg20t65fdla-a blg20t65fdla-p blg20t65fdla-f blg20t65fdla-b.pdf pdf_icon

BLG20T65FDLA-P

BLG20T65FDLA IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG20T65FDLA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . g The IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat) KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CES I

 5.1. Size:974K  belling
 blg20t65fula-p blg20t65fula-a.pdf pdf_icon

BLG20T65FDLA-P

BLG20T65FULA IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG20T65FULA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . g The IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat) KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CES I

Другие IGBT... BLG10T65FUL-D , BLG15T65FUA-A , BLG15T65FUA-B , BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , BLG15T65FUL-A , BLG20T65FDLA-A , GT50JR22 , BLG20T65FDLA-F , BLG20T65FDLA-B , BLG20T65FULA-P , BLG20T65FULA-A , BLG3040-D , BLG3040-B , BLG3040-P , BLG3040-I .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.