BLG20T65FULA-P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BLG20T65FULA-P  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BLG20T65FULA-P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG20T65FULA-P даташит

 ..1. Size:974K  belling
 blg20t65fula-p blg20t65fula-a.pdf pdf_icon

BLG20T65FULA-P

BLG20T65FULA IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG20T65FULA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . g The IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat) KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CES I

 5.1. Size:1175K  belling
 blg20t65fdla-a blg20t65fdla-p blg20t65fdla-f blg20t65fdla-b.pdf pdf_icon

BLG20T65FULA-P

BLG20T65FDLA IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG20T65FDLA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . g The IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat) KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CES I

Другие IGBT... BLG15T65FUA-P, BLG15T65FUL-B, BLG15T65FUL-P, BLG15T65FUL-A, BLG20T65FDLA-A, BLG20T65FDLA-P, BLG20T65FDLA-F, BLG20T65FDLA-B, IXGH60N60, BLG20T65FULA-A, BLG3040-D, BLG3040-B, BLG3040-P, BLG3040-I, BLG40T120FDH-F, BLG40T120FUH-F, BLG40T120FUK-F