BLQG3040-D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BLQG3040-D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 370 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2600 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68 pF

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BLQG3040-D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLQG3040-D даташит

 ..1. Size:875K  belling
 blqg3040-d blqg3040-b.pdf pdf_icon

BLQG3040-D

BLQG3040 IGBT 1 Description BLQG3040 is obtained by advanced ignition Step-Down Converter IGBTs technology which reduce the conduction loss, , enhance the SCIS capability. Internally integrated diodes can provide the voltage clamping without the need for external components. The IGBT is suitable device for automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. K

 6.1. Size:868K  belling
 blqg3040a-d blqg3040a-b.pdf pdf_icon

BLQG3040-D

BLQG3040A IGBT 1 Description BLQG3040A is obtained by advanced ignition Step-Down Converter IGBTs technology which reduce the conduction loss, , enhance the SCIS capability. Internally integrated diodes can provide the voltage clamping without the need for external components. The IGBT is suitable device for automotive ignition circuits, specifically as a coil driver.

Другие IGBT... BLG60T65FUL-F, BLG60T65FUL-K, BLG60T65FUL-W, BLG75T65FDK-F, BLG75T65FDL-F, BLG75T65FUK-F, BLQG3040A-D, BLQG3040A-B, FGH60N60SFD, BLQG3040-B, BLQG50T65FCKA-F, BLQG50T65FDLA-F, BLQG50T65FDLA-K, BLQG50T65FDLA-W, RGT20TM65D, AMPBQ200N75GSFA, AMPBW50N65E