Справочник IGBT. JJT10N65SGD

 

JJT10N65SGD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JJT10N65SGD
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Маркировка: T1065SGD
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 28 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JJT10N65SGD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT10N65SGD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2537K  jiejie micro
 jjt10n65sgd.pdf pdf_icon

JJT10N65SGD

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65SGDKey performance:TO-220A V =650VCE I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)Features: High ruggedness performanceGC 10s short circuit capabilityE Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant

 5.1. Size:2552K  jiejie micro
 jjt10n65sc.pdf pdf_icon

JJT10N65SGD

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65SCKey performance:TO-263 V =650VCE I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)CFeatures:G High ruggedness performanceE 10s short circuit capability Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppl

 5.2. Size:2557K  jiejie micro
 jjt10n65st.pdf pdf_icon

JJT10N65SGD

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65STKey performance: V =650VCETO-252 I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)CFeatures: High ruggedness performanceG 10s short circuit capabilityE Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppl

 5.3. Size:3515K  jiejie micro
 jjt10n65scd.pdf pdf_icon

JJT10N65SGD

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65SCDKey performance:TO-263 V =650VCE I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)CFeatures:G High ruggedness performanceE 10s short circuit capability Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DHG60T65D , G25T120D , G40N120D , G50T65DS , G50T65LBBW , DHG20T65D , JJT10N65SC , JJT10N65SCD , FGD4536 , JJT10N65SS , JJT10N65ST , JJT120N75SA , JJT50N65HE , JJT50N65LE , JJT50N65UE , JJT50N65UH , JJT15N120SE .

 

 
Back to Top

 


 
.