JJT10N65ST datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: JJT10N65ST  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для JJT10N65ST

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT10N65ST даташит

 ..1. Size:2557K  jiejie micro
 jjt10n65st.pdf pdf_icon

JJT10N65ST

650V 10A Trench and Field Stop IGBT JJT10N65ST Key performance V =650V CE TO-252 I =10A@T =100 C C V =1.8 V CE(sat) C Features High ruggedness performance G 10 s short circuit capability E Positive V temperature coefficient CE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant Appl

 5.1. Size:2552K  jiejie micro
 jjt10n65sc.pdf pdf_icon

JJT10N65ST

650V 10A Trench and Field Stop IGBT JJT10N65SC Key performance TO-263 V =650V CE I =10A@T =100 C C V =1.8 V CE(sat) C Features G High ruggedness performance E 10 s short circuit capability Positive V temperature coefficient CE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant Appl

 5.2. Size:3515K  jiejie micro
 jjt10n65scd.pdf pdf_icon

JJT10N65ST

650V 10A Trench and Field Stop IGBT JJT10N65SCD Key performance TO-263 V =650V CE I =10A@T =100 C C V =1.8 V CE(sat) C Features G High ruggedness performance E 10 s short circuit capability Positive V temperature coefficient CE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant

 5.3. Size:2850K  jiejie micro
 jjt10n65ss.pdf pdf_icon

JJT10N65ST

650V 10A Trench and Field Stop IGBT JJT10N65SS Key performance V =650V CE TO-220F I =10A@T =100 C C V =1.8 V CE(sat) Features High ruggedness performance 10 s short circuit capability G C E Positive V temperature coefficient CE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant App

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... G40N120D, G50T65DS, G50T65LBBW, DHG20T65D, JJT10N65SC, JJT10N65SCD, JJT10N65SGD, JJT10N65SS, IXGH60N60, JJT120N75SA, JJT50N65HE, JJT50N65LE, JJT50N65UE, JJT50N65UH, JJT15N120SE, JJT15N65SC, JJT15N65SG