JJT50N65HE - аналоги и описание IGBT

 

JJT50N65HE - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: JJT50N65HE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 535 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JJT50N65HE

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры JJT50N65HE

 ..1. Size:4257K  jiejie micro
 jjt50n65he.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65HE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.8V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Uninterruptib

 6.1. Size:3697K  jiejie micro
 jjt50n65uh.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65UH Key performance TO-3P V =650V CE I =50A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. G C Easy parallel switching capability. E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machin

 6.2. Size:4943K  jiejie micro
 jjt50n65le.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65LE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.7V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications Inducting heating Resonant converters Microwave ovens Packag

 6.3. Size:3693K  jiejie micro
 jjt50n65ue.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65UE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... G50T65LBBW , DHG20T65D , JJT10N65SC , JJT10N65SCD , JJT10N65SGD , JJT10N65SS , JJT10N65ST , JJT120N75SA , GT30J127 , JJT50N65LE , JJT50N65UE , JJT50N65UH , JJT15N120SE , JJT15N65SC , JJT15N65SG , JJT15N65SS , JJT15N65SY .

 

 
Back to Top

 


 
.