JJT50N65HE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: JJT50N65HE  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 535 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для JJT50N65HE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT50N65HE даташит

 ..1. Size:4257K  jiejie micro
 jjt50n65he.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65HE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.8V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Uninterruptib

 6.1. Size:3697K  jiejie micro
 jjt50n65uh.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65UH Key performance TO-3P V =650V CE I =50A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. G C Easy parallel switching capability. E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machin

 6.2. Size:4943K  jiejie micro
 jjt50n65le.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65LE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.7V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications Inducting heating Resonant converters Microwave ovens Packag

 6.3. Size:3693K  jiejie micro
 jjt50n65ue.pdf pdf_icon

JJT50N65HE

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65UE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... G50T65LBBW, DHG20T65D, JJT10N65SC, JJT10N65SCD, JJT10N65SGD, JJT10N65SS, JJT10N65ST, JJT120N75SA, GT50JR22, JJT50N65LE, JJT50N65UE, JJT50N65UH, JJT15N120SE, JJT15N65SC, JJT15N65SG, JJT15N65SS, JJT15N65SY