Справочник IGBT. JJT50N65LE

 

JJT50N65LE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JJT50N65LE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 454 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 73 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 176 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JJT50N65LE

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT50N65LE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4943K  jiejie micro
 jjt50n65le.pdf pdf_icon

JJT50N65LE

650V 50A Trench and Field Stop IGBTJJT50N65LEKey performance: V =650VCETO-247 I =50A@T =100C C V =1.7VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability.GCEBenefits: High ruggedness performance. RoHS compliant.Applications: Inducting heating Resonant converters Microwave ovensPackag

 6.1. Size:3697K  jiejie micro
 jjt50n65uh.pdf pdf_icon

JJT50N65LE

650V 50A Trench and Field Stop IGBTJJT50N65UHKey performance:TO-3P V =650VCE I =50A@T =100C C V =1.9VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology.GC Easy parallel switching capability.EBenefits: High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant.Applications: PFC applications Welding machin

 6.2. Size:3693K  jiejie micro
 jjt50n65ue.pdf pdf_icon

JJT50N65LE

650V 50A Trench and Field Stop IGBTJJT50N65UEKey performance: V =650VCETO-247 I =50A@T =100C C V =1.9VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability.GCEBenefits: High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant.Applications: PFC applications Welding machi

 6.3. Size:4257K  jiejie micro
 jjt50n65he.pdf pdf_icon

JJT50N65LE

650V 50A Trench and Field Stop IGBTJJT50N65HEKey performance: V =650VCETO-247 I =50A@T =100C C V =1.8VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability.GCEBenefits: High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant.Applications: PFC applications Uninterruptib

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DHG20T65D , JJT10N65SC , JJT10N65SCD , JJT10N65SGD , JJT10N65SS , JJT10N65ST , JJT120N75SA , JJT50N65HE , FGH60N60SMD , JJT50N65UE , JJT50N65UH , JJT15N120SE , JJT15N65SC , JJT15N65SG , JJT15N65SS , JJT15N65SY , JJT6N65SC .

 

 
Back to Top

 


 
.