JJT6N65STD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JJT6N65STD
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Маркировка: T0665STD
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.3 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 19 nC
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JJT6N65STD
JJT6N65STD Datasheet (PDF)
jjt6n65std.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65STDKey performance: V =650VCETO-252 I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)CFeatures:G High ruggedness performanceE Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant
jjt6n65st.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65STKey performance: V =650VCETO-252 I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)CFeatures: GE High ruggedness performance Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppli
jjt6n65ss.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65SSKey performance: V =650VCETO-220F I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)Features: High ruggedness performanceGCE Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantApp
jjt6n65sc.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65SCTO-263Key performance: V =650VCE I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)CGFeatures:E High ruggedness performance Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppl
Другие IGBT... JJT15N120SE , JJT15N65SC , JJT15N65SG , JJT15N65SS , JJT15N65SY , JJT6N65SC , JJT6N65SS , JJT6N65ST , RJP63F3DPP-M0 , JJT75N120SA , JJT75N65HCN , JJT75N65HE , JJT20N65SC , JJT20N65SE , JJT20N65SS , JJT20N65SY , JJT25N120SE .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent