JJT6N65STD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JJT6N65STD
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Маркировка: T0665STD
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.3 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 19 nC
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JJT6N65STD
JJT6N65STD Datasheet (PDF)
jjt6n65std.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65STDKey performance: V =650VCETO-252 I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)CFeatures:G High ruggedness performanceE Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant
jjt6n65st.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65STKey performance: V =650VCETO-252 I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)CFeatures: GE High ruggedness performance Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppli
jjt6n65ss.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65SSKey performance: V =650VCETO-220F I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)Features: High ruggedness performanceGCE Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantApp
jjt6n65sc.pdf

650V 6A Trench and Field Stop IGBTJJT6N65SCTO-263Key performance: V =650VCE I =6A@T =100C C V =1.7 VCE(sat)CGFeatures:E High ruggedness performance Very tight parameter distribution Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppl
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT75N65HE | JJT75N65HCN | JJT75N120SA | JJT6N65STD | JJT6N65ST | JJT6N65SS | JJT6N65SC | JJT15N65SY | JJT15N65SS | JJT15N65SG | JJT15N65SC
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent