JJT40N65UH datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: JJT40N65UH 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
Тип корпуса: TO3P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JJT40N65UH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
JJT40N65UH даташит
jjt40n65uh.pdf
650V 40A Trench and Field Stop IGBT JJT40N65UH Key performance TO-3P V =650V CE I =40A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. G C Easy parallel switching capability. E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machin
jjt40n65ue.pdf
650V 40A Trench and Field Stop IGBT JJT40N65UE Key performance V =650V CE TO-247 I =40A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machi
jjt40n65he.pdf
650V 40A Trench and Field Stop IGBT JJT40N65HE Key performance V =650V CE TO-247 I =40A@T =100 C C V =1.7V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Uninterruptib
jjt40n65le.pdf
650V 40A Trench and Field Stop IGBT JJT40N65LE Key performance V =650V CE TO-247 I =40A@T =100 C C V =1.4V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications EV chargers Package parameters Ty
Другие IGBT... JJT60N65HE, JJT60N65UE, JJT60N65UH, JJT40N120UE, JJT40N135UE, JJT40N65HE, JJT40N65LE, JJT40N65UE, GT30G124
History: NGTB30N120IHR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor




