IXSA12N60AU1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXSA12N60AU1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IXSA12N60AU1
IXSA12N60AU1 Datasheet (PDF)
ixsa12n60au1.pdf

IXSA 12N60AU1 VCES = 600 VLow VCE(sat) IGBTIC25 = 24 Awith DiodeVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263AAVCES TJ = 25 C to 150 C 600 VVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 VGVGES Continuous 20 VETABVGEM Transient 30 VG = Gate, C = Collector,IC25 TC = 25 C24 AE = Emitter
ixsa10n60b2d1 ixsp10n60b2d1.pdf

High Speed IGBT IXSA 10N60B2D1VCES = 600 VIXSP 10N60B2D1with Diode IC25 = 20 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXSA)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VEC (TAB)IC25 TC = 25C20 ATO-220AB (IXSP)
ixsa16n60 ixsp16n60.pdf

Preliminary Data SheetIXSA 16N60 VCES = 600VLow VCE(sat) IGBT IXSP 16N60IC25 = 16AShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat)typ = 1.8VTO-220AB(IXSP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VGCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-263AAIC25 TC = 25C32 AIC90 TC = 90C16 AICM TC = 25
ixsa15n120b.pdf

Advance Technical InformationIXSA 15N120B VCES =1200 VHIGH Voltage IGBTIXSP 15N120B IC25 = 30 AVCE(sat) = 3.4 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityTO-220AB (IXSP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VC (TAB)GCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C30 ATO-263 AA (
Другие IGBT... IXGT31N60 , IXGT31N60D1 , IXGT32N60BD1 , IXGT32N60CD1 , IXGT50N60B , IXGT60N60 , IXGX120N60B , IXGX50N60AU1 , IRGP4063D , IXSA16N60 , IXSH10N120A , IXSH10N120AU1 , IXSH15N120AU1 , IXSH15N120B , IXSH16N60U1 , IXSH20N60AU1 , IXSH20N60U1 .
History: APT150GN60JDQ4 | NCE07TD60BF | FGD3040G2-F085 | AOK30B60D1 | IXGH48N60A3
History: APT150GN60JDQ4 | NCE07TD60BF | FGD3040G2-F085 | AOK30B60D1 | IXGH48N60A3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor