Справочник IGBT. MGP20N60U

 

MGP20N60U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGP20N60U
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 99 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 57 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MGP20N60U

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGP20N60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  motorola
 mgp20n60u.pdf pdf_icon

MGP20N60U

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP20N60U/DDesigner's Data SheetMGP20N60UInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high20 A @ 90Cvoltageblocking capability. It also provide

 0.1. Size:120K  motorola
 mgp20n60urev0.pdf pdf_icon

MGP20N60U

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP20N60U/DProduct PreviewMGP20N60UInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high20 A @ 90Cvoltageblocking capability. It also provides fast sw

 8.1. Size:82K  motorola
 mgp20n14cl.pdf pdf_icon

MGP20N60U

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP20N14CL/DProduct PreviewMGP20N14CLSMARTDISCRETESInternally Clamped, N-ChannelIGBT20 AMPERESThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)VOLTAGE CLAMPEDfeatures GateEmitter ESD protection, GateCollector overvoltageNCHANNEL IGBTprotection from SMARTDISCRETES monolithic circuitry for

 8.2. Size:77K  motorola
 mgp20n14clrev1.pdf pdf_icon

MGP20N60U

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP20N14CL/DProduct PreviewMGP20N14CLSMARTDISCRETESInternally Clamped, N-ChannelIGBT20 AMPERESThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)VOLTAGE CLAMPEDfeatures GateEmitter ESD protection, GateCollector overvoltageNCHANNEL IGBTprotection from SMARTDISCRETES monolithic circuitry for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , FGA60N65SMD , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D .

History: APT40GP90B2DF2 | MMG100D120B6HN

 

 
Back to Top

 


 
.