Справочник IGBT. MGP21N60E

 

MGP21N60E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGP21N60E
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 86 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MGP21N60E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGP21N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  motorola
 mgp21n60e.pdf pdf_icon

MGP21N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP21N60E/DDesigner's Data SheetMGP21N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high21 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V I

 0.1. Size:127K  motorola
 mgp21n60erev0.pdf pdf_icon

MGP21N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP21N60E/DDesigner's Data SheetMGP21N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high21 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V I

Другие IGBT... MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , IKW75N60T , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 .

 

 
Back to Top

 


 
.