MGP7N60ED - аналоги и описание IGBT

 

MGP7N60ED - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGP7N60ED

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MGP7N60ED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGP7N60ED даташит

 ..1. Size:148K  motorola
mgp7n60ed.pdfpdf_icon

MGP7N60ED

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP7N60ED/D Designer's Data Sheet MGP7N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO 220 7.0 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 10 A @ 25 C with a soft recovery ultra fast rectifier and uses an ad

 6.1. Size:122K  motorola
mgp7n60erev0.pdfpdf_icon

MGP7N60ED

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP7N60E/D Designer's Data Sheet MGP7N60E Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 220 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 9.0 A @ 90 C voltage blocking capability. Its new 600 V IG

 6.2. Size:122K  motorola
mgp7n60e.pdfpdf_icon

MGP7N60ED

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP7N60E/D Designer's Data Sheet MGP7N60E Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 220 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 7.0 A @ 90 C voltage blocking capability. Its new 600 V IG

Другие IGBT... MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , G50T65D , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.