MGW12N120 - аналоги и описание IGBT

 

MGW12N120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGW12N120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.51 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 126 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MGW12N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGW12N120 даташит

 ..1. Size:228K  motorola
 mgw12n120.pdf pdf_icon

MGW12N120

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW12N120/D Designer's Data Sheet MGW12N120 Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 247 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 12 A @ 90 C voltage blocking

 0.1. Size:213K  motorola
 mgw12n120d.pdf pdf_icon

MGW12N120

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW12N120D/D Designer's Data Sheet MGW12N120D Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO 247 12 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 20 A @ 25 C with a soft recovery ultra f

Другие IGBT... MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , GT30G124 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.