Справочник IGBT. MGW20N120

 

MGW20N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGW20N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 103 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 122 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 62 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MGW20N120

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGW20N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  motorola
 mgw20n120.pdf pdf_icon

MGW20N120

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW20N120/DDesigner's Data SheetMGW20N120Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO247termination scheme to provide an enhanced and reliable high20 A @ 90Cvoltageblocking

 8.1. Size:209K  motorola
 mgw20n60d.pdf pdf_icon

MGW20N120

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW20N60D/DDesigner's Data SheetMGW20N60DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO24720 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged32 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafas

 8.2. Size:246K  motorola
 mgw20n60.pdf pdf_icon

MGW20N120

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW20N60D/DDesigner's Data SheetMGW20N60DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO24720 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged32 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafas

Другие IGBT... MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , CRG60T60AN3H , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 .

History: IXYA20N65C3 | NGTB35N60FL2WG | RCM10N40 | IXYF40N450 | IXGH22N50B | HIH30N60BP

 

 
Back to Top

 


 
.