Справочник IGBT. MGW21N60ED

 

MGW21N60ED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGW21N60ED

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 142W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 21A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 29

Емкость коллектора (Cc), pf: 1605pF

Корпус: TO247

Аналог (замена) для MGW21N60ED

 

 

MGW21N60ED Datasheet (PDF)

1.1. mgw21n60ed.pdf Size:157K _motorola

MGW21N60ED
MGW21N60ED

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW21N60ED/D Designer's? Data Sheet MGW21N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor NChannel EnhancementMode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged IGBT IN TO247 with a soft recovery ultrafast rectifier and uses an advanced 21 A @ 90C termination scheme to provide an enhanced and reliable

1.2. mgw21n60edrev0.pdf Size:152K _motorola

MGW21N60ED
MGW21N60ED

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW21N60ED/D Preliminary Data Sheet MGW21N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor NChannel EnhancementMode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged IGBT IN TO247 with a soft recovery ultrafast rectifier and uses an advanced 21 A @ 90C termination scheme to provide an enhanced and reliable

 

Другие IGBT... MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , HGTG30N60A4D , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 .

Back to Top

 


MGW21N60ED
  MGW21N60ED
  MGW21N60ED
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top