MGW21N60ED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGW21N60ED
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 86 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MGW21N60ED
MGW21N60ED Datasheet (PDF)
mgw21n60ed.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW21N60ED/DDesigner's Data SheetMGW21N60EDInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackagedIGBT IN TO247with a soft recovery ultrafast rectifier and uses an advanced21 A @ 90Ctermination scheme to provide an enhanc
mgw21n60edrev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW21N60ED/DPreliminary Data SheetMGW21N60EDInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackagedIGBT IN TO247with a soft recovery ultrafast rectifier and uses an advanced21 A @ 90Ctermination scheme to provide an enhanced
Другие IGBT... MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , SGT40N60FD2PN , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2