Справочник IGBT. MSAGX60F60A

 

MSAGX60F60A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSAGX60F60A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500pF pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 125 nC
   Тип корпуса: SMD-P
 

 Аналог (замена) для MSAGX60F60A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSAGX60F60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  microsemi
 msagx60f60a.pdf pdf_icon

MSAGX60F60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220MSAGX60F60AFAX: (714) 966-5256MSAHX60F60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa

 9.1. Size:31K  microsemi
 msagx75f60a.pdf pdf_icon

MSAGX60F60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAGX75F60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package2.7 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon requ

 9.2. Size:34K  microsemi
 msagx75l60a.pdf pdf_icon

MSAGX60F60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAGX75L60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon requ

Другие IGBT... MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , CRG60T60AK3HD , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A .

History: RJP4007ANS

 

 
Back to Top

 


 
.