P12N60C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: P12N60C3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для P12N60C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

P12N60C3 даташит

 0.1. Size:206K  1
 hgtp12n60c3d hgt1s12n60c3d hgt1s12n60c3ds.pdf pdf_icon

P12N60C3

 0.2. Size:181K  1
 hgtp12n60c3 hgt1s12n60c3 hgt1s12n60c3s.pdf pdf_icon

P12N60C3

 0.3. Size:734K  1
 hgtg12n60c3dr hgtp12n60c3dr hgt1s12n60c3dr hgt1s12n60c3drs.pdf pdf_icon

P12N60C3

 0.4. Size:262K  1
 hgtp12n60c3r hgt1s12n60c3r hgt1s12n60c3rs.pdf pdf_icon

P12N60C3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSAHZ52F120A, MSAHZ52F120B, NTE3311, NTE3312, NTE3320, NTE3321, NTE3322, NTE3323, IHW40T60, PPNGZ52F120A, PPNGZ52F120B, PPNHZ52F120A, PPNHZ52F120B, RCH10N35, RCH10N40, RCH10N40A, RCM10N35