SGH30N60RUFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGH30N60RUFD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGH30N60RUFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGH30N60RUFD даташит

 ..1. Size:658K  fairchild semi
 sgh30n60rufd.pdf pdf_icon

SGH30N60RUFD

September 2000 IGBT SGH30N60RUFD Short Circuit Rated IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) RUFD Short Circuit rated 10us @ TC = 100 C, VGE = 15V series provides low conduction and switching losses as well High Speed Switching as short circuit ruggedness. RUFD series is designed for Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.2 V @

 ..2. Size:284K  samsung
 sgh30n60rufd.pdf pdf_icon

SGH30N60RUFD

CO-PAK IGBT SGH30N60RUFD FEATURES TO-3P * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=30A * High Input Impedance * CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 50nS (Typ) C APPLICATIONS * AC & DC Motor controls G * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls * Power Supply E * Lamp Ballast ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 3.1. Size:196K  1
 sgh30n60ruf.pdf pdf_icon

SGH30N60RUFD

Другие IGBT... SGH15N120RUFD, SGH15N60RUFD, SGH20N120RUF, SGH20N120RUFD, SGH20N60RUFD, SGH23N60UFD, SGH25N120RUF, SGH30N60RUF, FGH40N60SFD, SGH40N60UF, SGH40N60UFD, SGH5N120RUF, SGH5N120RUFD, SGH80N60UF, SGH80N60UFD, SGI25N40, SGL10N60RUFD