IGC109T120T6RH - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IGC109T120T6RH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
Тип корпуса: CHIP
Аналог (замена) для IGC109T120T6RH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IGC109T120T6RH даташит
igc109t120t6rh.pdf
IGC109T120T6RH IGBT4 High Power Chip Features 1200V Trench + Field stop technology This chip is used for C low V medium / high power modules CE(sat) soft turn off positive temperature coefficient Applications easy paralleling G medium / high power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC109T120T6RH 1200V 110A 7.48 x 14.61 mm2 saw
igc109t120t6rl.pdf
IGC109T120T6RL IGBT4 Low Power Chip Features 1200V Trench + Field stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC109T120T6RL 1200V 110A 7.48 x 14.61 mm2 sawn on foil MECHA
igc109t120t6rm.pdf
IGC109T120T6RM IGBT4 Medium Power Chip Features 1200V Trench + Field stop technology This chip is used for C low switching losses medium power modules soft turn off positive temperature coefficient Applications easy paralleling G medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC109T120T6RM 1200V 110A 7.48 x 14.61 mm2 sawn on f
sigc109t120r3le.pdf
SIGC109T120R3LE IGBT3 Power Chip Features This chip is used for 1200V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package SIGC109T120R3LE 1200V 100A 10.47 x 10.44 mm2 sawn on foil Mechanical Param
Другие IGBT... IGC03R60DE , IGC04R60D , IGC04R60DE , IGC05R60D , IGC05R60DE , IGC06R60D , IGC11T120T8L , IGC100T65T8RM , FGW75N60HD , IGC109T120T6RL , IGC109T120T6RM , IGC10R60D , IGC10R60DE , IGC10T65QE , IGC114T170S8RH , IGC114T170S8RM , IGC11T120T6L .
History: IGC189T120T8RL | IXSK30N60BD1 | SKM300GAL123D | IXSH35N140A | APT33GF120LRD
History: IGC189T120T8RL | IXSK30N60BD1 | SKM300GAL123D | IXSH35N140A | APT33GF120LRD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260






