SGH5N120RUFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGH5N120RUFD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 28 nC
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SGH5N120RUFD
SGH5N120RUFD Datasheet (PDF)
sgh5n120rufd.pdf
September 2000 IGBTSGH5N120RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) RUFD Short Circuit Rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15Vseries provides low conduction and switching losses as well High Speed Switchingas short circuit ruggedness. RUFD series is designed for Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.3 V @
sgh5n120ruf.pdf
IGBTSGH5N120RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provides low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 5Adesigned for
Другие IGBT... SGH20N60RUFD , SGH23N60UFD , SGH25N120RUF , SGH30N60RUF , SGH30N60RUFD , SGH40N60UF , SGH40N60UFD , SGH5N120RUF , FGH60N60SMD , SGH80N60UF , SGH80N60UFD , SGI25N40 , SGL10N60RUFD , SGL15N60RUFD , SGL160N60UFD , SGL20N60RUFD , SGL25N120RUFD .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2