Справочник IGBT. SGH80N60UF

 

SGH80N60UF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGH80N60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 175 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SGH80N60UF

 

 

SGH80N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  fairchild semi
 sgh80n60uf.pdf

SGH80N60UF SGH80N60UF

IGBTSGH80N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where high speed sw

 ..2. Size:225K  samsung
 sgh80n60uf.pdf

SGH80N60UF SGH80N60UF

N-CHANNEL IGBT SGH80N60UFFEATURESTO-3P* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V (@ Ic=40A)* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 600 VCollector-Emitter VoltageV

 0.1. Size:649K  fairchild semi
 sgh80n60ufd.pdf

SGH80N60UF SGH80N60UF

September 2000 IGBTSGH80N60UFDUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UFD High Speed Switchingseries provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40AUFD seriesis designed for the applications such as motor High Input Impedancecontrol and general inverters where H

 0.2. Size:264K  samsung
 sgh80n60ufd.pdf

SGH80N60UF SGH80N60UF

N-CHANNEL IGBT SGH80N60UFDFEATURESTO-3P* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V (@ Ic=40A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 50nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteri

Другие IGBT... SGH23N60UFD , SGH25N120RUF , SGH30N60RUF , SGH30N60RUFD , SGH40N60UF , SGH40N60UFD , SGH5N120RUF , SGH5N120RUFD , RJP30E2DPP-M0 , SGH80N60UFD , SGI25N40 , SGL10N60RUFD , SGL15N60RUFD , SGL160N60UFD , SGL20N60RUFD , SGL25N120RUFD , SGL30N60RUFD .

 

 
Back to Top