SGS23N60UFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGS23N60UFD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGS23N60UFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGS23N60UFD даташит

 ..1. Size:593K  fairchild semi
 sgs23n60ufd.pdf pdf_icon

SGS23N60UFD

April 2001 IGBT SGS23N60UFD Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A The UFD series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters wher

 4.1. Size:571K  1
 sgs23n60uf.pdf pdf_icon

SGS23N60UFD

April 2001 IGBT SGS23N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A The UF series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters where h

Другие IGBT... SGR2N60UFD, SGR5N60RUF, SGR6N60UF, SGS10N60RUF, SGS10N60RUFD, SGS13N60UF, SGS13N60UFD, SGS23N60UF, FGH60N60SFD, SGS5N60RUF, SGS5N60RUFD, SGS6N60UF, SGS6N60UFD, SGU15N40L, SGU1N60XFD, SGU20N40L, SGW13N60UF