SKM100GB063D - аналоги и описание IGBT

 

SKM100GB063D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM100GB063D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM100GB063D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GB063D даташит

 ..1. Size:796K  semikron
 skm100gb063d.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

 6.1. Size:788K  semikron
 skm100gb176d.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

 6.2. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

SKM100GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 159 A Tj = 175 C Tc =80 C 121 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 121 A Tj = 175 C SKM100GB12V Tc =80 C 91 A IFnom 1

 6.3. Size:556K  semikron
 skm100gb173d.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , NGTB75N65FL2 , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN .

History: STGW40V60F | TGAN50N90FD | RJP5001APP-00 | T0800EB45G | VS-ETL015Y120H | SRE40N065FSU2DF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.