Справочник IGBT. SKM100GB063D

 

SKM100GB063D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM100GB063D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM100GB063D

 

 

SKM100GB063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  semikron
 skm100gb063d.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

 6.1. Size:788K  semikron
 skm100gb176d.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

 6.2. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

SKM100GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 159 ATj = 175 CTc =80C 121 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12VTc =80C 91 AIFnom 1

 6.3. Size:556K  semikron
 skm100gb173d.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

 6.4. Size:541K  semikron
 skm100gb124d.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

 6.5. Size:398K  semikron
 skm100gb12t4g.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

SKM100GB12T4GAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 154 ATj = 175 CTc =80C 118 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 118 ATj = 175 CSKM100GB12T4GTc =80

 6.6. Size:554K  semikron
 skm100gb123d.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

 6.7. Size:480K  semikron
 skm100gb12t4.pdf

SKM100GB063D SKM100GB063D

SKM100GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 160 ATj = 175 CTc =80C 123 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12T4Tc =80C

Другие IGBT... SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , FGL60N100BNTD , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN .

 

 
Back to Top