Справочник IGBT. SKM100GB063D

 

SKM100GB063D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM100GB063D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 240 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM100GB063D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GB063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  semikron
 skm100gb063d.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

 6.1. Size:788K  semikron
 skm100gb176d.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

 6.2. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

SKM100GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 159 ATj = 175 CTc =80C 121 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12VTc =80C 91 AIFnom 1

 6.3. Size:556K  semikron
 skm100gb173d.pdf pdf_icon

SKM100GB063D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , IKW40T120 , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN .

History: 2MBI50J-060 | IXGH30N60C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.